台积电确认苹果M1 Ultra采用InFO-LSI封装，将两片M1 Max连接到一起

IT之家4月28日消息，台积在M1Ultra官方发布会上，电确介绍其MacStudio中的认苹M1Ultra时表示，这是封装最强大的定制AppleSilicon，它使用UltraFusion芯片对芯片互连技术，将两接从而实现了2.5TB/s的台积带宽。

从介绍来看，电确这涉及到两个M1Max芯片协同工作的认苹问题。现已证实，封装苹果M1Ultra芯片其实并未采用传统的将两接 CoWoS-S2.5D封装生产，而是台积使用了本地的芯片互连（LSI）的集成InFO（IntegratedFan-out）芯片。

IT之家了解到，电确苹果最新的认苹M1系列产品基于台积电5nm工艺技术，但之前有媒体称其通用采用了台积电 CoWoS-S（chip-on-wafer-onsubstratewithsiliconinterposer）封装工艺。封装当然，将两接台积电在使用其CoWoS封装平台为网络IC和超大AI芯片等多种芯片解决方案供应商提供服务方面拥有丰富经验，而且台积电还一直在使用先进工艺和InFO_PoP技术制造iPhone芯片。

实际上有很多种可以将芯片组桥接进行相互通信，但台积电的InFO_LI可以降低成本。半导体封装工程专业人士TomWassick放出了一张台积电在3DIC和异构集成国际研讨会上呈现的 PPT，阐明了其封装方法，显示苹果这次使用了InFO_LI技术。

总的来说，CoWoS-S是一种非常不错的方法，但要比InFO_LI更贵。除了这一点之外，Apple没必要选择CoWoS-S，毕竟M1Ultra只需要完成两个M1Max芯片的相互通信，而所有其他组件，包括统一的RAM、GPU和其他组件都是芯片中的一部分，因此，除非M1Ultra改用信新型多芯片设计和更快的内存（如HBM），否则InFO_LI对 Apple来说就是更好的选择。

具体而言，InFO-LSI技术需要将一个本地LSI（siliconinterconnection）与一个重分布层RDL（redistributionlayer）相关联。与CoWoS-S相比，InFO-LSI的主要优势在于其较低的成本。

CoWos-S需要用到大量完全由硅制成的大型中介层，因此成本非常昂贵；但InFO_LI凑合着用了本地化的芯片互连技术，总的来说没什么太大影响。

值得一提的是，彭博社MarkGurman称，苹果新一代MacPro已经准备就绪，它将搭载一款更强的芯片，也就是 M1Ultra的“继任者”。据称，这款产品的代号为J180，此前的信息暗示，这款产品将采用台积电的下一代4nm工艺量产，而不是目前的5nm工艺。

有传言称，新的苹果芯片将具有两个M1Ultra 相结合（4个 M1Max）。Gurman早些时候表示，这款工作站将采用定制的芯片，最多可支持40核CPU和128核GPU，性能值得期待，定价同样美丽。

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